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K4E641612D 데이터 시트보기 (PDF) - Samsung
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일치하는 목록
K4E641612D
4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
Samsung
K4E641612D Datasheet PDF : 36 Pages
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Industrial Temperature
K4E661612D,K4E641612D
LOWER BYTE WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
NOTE : D
OUT
= O P E N
V
IH
-
RAS
V
IL
-
V
IH
-
UCAS
V
IL
-
V
IH
-
LCAS
V
IL
-
V
IH
-
A
V
IL
-
V
IH
-
W
V
IL
-
V
IH
-
OE
V
IL
-
DQ0 ~ DQ7
V
IH
-
V
IL
-
DQ8 ~ DQ15
V
IH
-
V
IL
-
t
R C
t
RAS
t
CRP
t
CRP
t
RCD
t
RAD
t
ASR
t
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ROW
ADDRESS
t
ASC
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COLUMN
ADDRESS
t
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D S
t
D H
DATA-IN
CMOS DRAM
t
RP
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