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K4E641612D 데이터 시트보기 (PDF) - Samsung
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K4E641612D
4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
Samsung
K4E641612D Datasheet PDF : 36 Pages
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Industrial Temperature
K4E661612D,K4E641612D
UPPER BYTE READ CYCLE
N O T E : D
IN
= O P E N
CMOS DRAM
V
IH
-
RAS
V
IL
-
V
IH
-
UCAS
V
IL
-
V
IH
-
LCAS
V
IL
-
V
IH
-
A
V
IL
-
V
IH
-
W
V
IL
-
V
IH
-
OE
V
IL
-
DQ0 ~ DQ7
V
OH
-
V
OL
-
DQ8 ~ DQ15
V
OH
-
V
OL
-
t
RC
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