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Toshiba
30JL2C41
TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) SILICON EPITAXIAL TYPE
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Match & Start :
30J
L2C41
Toshiba
30J
122
Discrete IGBT - 30G124 ~ 30F125
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Toshiba
30J
311
Discrete IGBT - 30G124 ~ 30F125
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Toshiba
30J
341
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
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Toshiba
30J
101
Discrete IGBT - 30G124 ~ 30F125
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Ohmite Mfg. Co.
30J
27R
High energy Wirewound
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Ohmite Mfg. Co.
30J
6R8
High energy Wirewound
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Toshiba
30J
126
Discrete IGBT - 30G124 ~ 30F125
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Ohmite Mfg. Co.
30J
33R
High energy Wirewound
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Ohmite Mfg. Co.
30J
100
High energy Wirewound
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Ohmite Mfg. Co.
30J
15R
High energy Wirewound
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