30F123 데이터시트 - Toshiba
부품명
30F123
상세내역
Other PDF
no available.
PDF
page
16 Pages
File Size
538.1 kB
제조사
Toshiba
30F123/ GT30F123 IGBT.
• Breakdown Voltage VCES (V) @Ta = 25˚C : 300V
• IGBT Current Rating IC (A) @Ta = 25˚C : 200A
• Insulated Gate Bipolar Transistor
• Case Style: TO220SIS/ Short Leads
부품명
상세내역
PDF
제조사
Share Link: