MCH5824
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
記号
条件
[MOSFET 部]
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
ドレイン・ソース間オン抵抗
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
[SBD 部]
逆電圧
順電圧
逆電流
端子間容量
逆回復時間
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
yfs
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=1mA, VGS=0
VDS=20V, VGS=0
VGS= ± 12V, VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=600mA
ID=600mA, VGS=10V
ID=300mA, VGS=4.5V
ID=300mA, VGS=4V
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
指定回路において
指定回路において
指定回路において
指定回路において
VDS=10V, VGS=10V, ID=1.2A
VDS=10V, VGS=10V, ID=1.2A
VDS=10V, VGS=10V, ID=1.2A
IS=1.2A, VGS=0
VR
IR=0.5mA
VF
IF=0.5A
IR
VR=6V
C
VR=10V, f=1MHz
trr
IF=IR=100mA, 指定回路において
定格値
min typ max unit
20
V
1 µA
± 10 µA
1.2
2.6 V
480 800
mS
240 320 mΩ
480 675 mΩ
590 830 mΩ
38
pF
13.5
pF
9.2
pF
5.0
ns
16.0
ns
9.4
ns
3.4
ns
2.1
nC
0.6
nC
0.2
nC
0.92 1.2 V
15
V
0.4 0.46 V
90 µA
13
pF
10 ns
外形図
unit : mm
2195
0.3
0.15
4
5
3 21
0.65
2.0
(Bottom view)
5
4
1 23
(Top view)
1 : Gate
2 : Source
3 : Anode
4 : Cathode
5 : Drain
SANYO : MCPH5
電気的接続図
5
4
1
2
3
1 : Gate
2 : Source
3 : Anode
4 : Cathode
5 : Drain
Top view
No.8201-2/5