MCH5824 데이터 시트보기 (PDF) - SANYO -> Panasonic
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MCH5824 Datasheet PDF : 5 Pages
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注文コード No. N 8 2 0 1
MCH5824
MCH5824
MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
SBD : ショットキバリアダイオード
汎用スイッチングデバイス
特長
・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ(MCH3447)とショットキバリアダイオード(SS05015)を 1 パッケージに
内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。
・［MOS］
・ 低オン抵抗。
・ 超高速スイッチング。
・ 4V 駆動。
・［SBD］
・ 逆回復時間が短い。
・ 低順電圧。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
記号
条件
定格値
unit
[MOSFET 部]
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
許容損失
チャネル温度
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit
20
V
± 15
V
1.2
A
4.8
A
0.6 W
150 ℃
保存周囲温度
Tstg
− 55 〜＋ 125 ℃
[SBD 部]
繰り返しピーク逆電圧
VRRM
15
V
非繰り返しピーク逆サージ電圧 VRSM
15
V
平均整流電流
IO
0.5
A
サージ順電流
接合部温度
IFSM
Tj
50Hz 正弦波 1 サイクル
3
A
− 55 〜＋ 125 ℃
保存周囲温度
Tstg
− 55 〜＋ 125 ℃
単体品名表示：XA
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
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について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
21805PE TS IM ◎川浦 TB-00001213 No.8201-1/5
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