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MCH5805 데이터 시트보기 (PDF) - SANYO -> Panasonic

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MCH5805
SANYO
SANYO -> Panasonic SANYO
MCH5805 Datasheet PDF : 5 Pages
1 2 3 4 5
MCH5805
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
[MOSFET 部]
min
ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS ID= − 1mA, VGS=0
− 60
ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS
VDS= − 60V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
IGSS
VGS= ± 16V, VDS=0
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
VDS= − 10V, ID= − 1mA
VDS= − 10V, ID= − 0.3A
− 1.2
460
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on)1 ID= − 0.3A, VGS= − 10V
RDS(on)2 ID= − 0.2A, VGS= − 4V
入力容量
Ciss
VDS= − 20V, f=1MHz
出力容量
Coss
VDS= − 20V, f=1MHz
帰還容量
Crss
VDS= − 20V, f=1MHz
ターンオン遅延時間
td(on)
指定回路において
立ち上がり時間
tr
    〃
ターンオフ遅延時間
td(off)
    〃
下降時間
tf
    〃
総ゲート電荷量
Qg
ゲート・ソース電荷量
Qgs
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 0.6A
ゲート・ドレイン電荷量
Qgd
ダイオード順電圧
VSD
IS= − 0.6A, VGS=0
typ
670
1.3
1.6
73
7
4
6
3.5
12.5
3
2.4
0.6
0.2
− 0.88
max unit
V
− 1 µA
± 10 µA
− 2.6 V
mS
1.7
2.3
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
− 1.2 V
[SBD 部]
逆電圧
順電圧
逆電流
端子間容量
逆回復時間
min
typ max unit
VR
IR=50µA
50
V
VF1
IF=100mA
0.55 V
IR
VR=25V
15 µA
C
VR=10V, f=1MHz
4.4
pF
trr
IF=IR=100mA, 指定回路において
10 ns
スイッチングタイム測定回路図
(MOSFET 部)
trr 指定回路図
(SBD 部)
VIN
0V
--10V
VIN
VDD= --30V
ID= --0.3A
RL=100
Duty10%
50
100
10
PW=10µs
D
VOUT
10µs
D.C.1%
--5V
G
trr
MCH5805
P.G
50
S
No.7125-2/5

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