MCH5805 데이터 시트보기 (PDF) - SANYO -> Panasonic
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MCH5805 Datasheet PDF : 5 Pages
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注文コード No. N 7 1 2 5
MCH5805
No. N 7 1 2 5
N1501
MCH5805
新
MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
SBD : ショットキバリアダイオード
DC / DC コンバータ用
特長
・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3314）とショットキバリアダイオード（SB01-05）を
1 パッケージに内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。
・[MOS] 1）低オン抵抗。 2）超高速スイッチング。 3）4V 駆動。
・[SBD] 1）逆回復時間が短い。 2）低順電圧。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
[MOSFET 部]
unit
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
許容損失
チャネル温度
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit
− 60 V
± 20 V
− 0.6 A
− 2.4 A
0.8 W
150 ℃
保存周囲温度
Tstg
− 55 〜＋ 125 ℃
[SBD 部]
繰り返しピーク逆電圧
非繰り返しピーク
逆サージ電圧
平均整流電流
サージ電流
接合部温度
保存周囲温度
VRRM
VRSM
IO
IFSM
Tj
Tstg
50Hz 正弦波 1 サイクル
unit
50 V
50 V
0.1 A
2A
− 55 〜＋ 125 ℃
− 55 〜＋ 125 ℃
単体品名表示：QE
電気的接続図 (Top view)
5
4
1 : Gate
2 : Source
3 : Anode
4 : Cathode
1
2
3
5 : Drain
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途（生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
外形図 2195
(unit : mm)
0.3
0.15
4
5
3 21
0.65
2.0
1 : Gate
2 : Source
5
4 3 : Anode
4 : Cathode
5 : Drain
1 2 3 SANYO : MCPH5
N1501 TS IM ◎佐藤 TA-3399 No.7125-1/5
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