SFH305 데이터 시트보기 (PDF) - Siemens AG

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SFH305

Mini-Silicon NPN Phototransistor

Siemens AG 

SFH 305

Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)

Characteristics (cont’d)

Bezeichnung

Description

Abmessung der Chipfläche

Dimensions of chip area

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-

fläche

Distance chip front to case surface

Halbwinkel

Half angle

Kapazität

Capacitance

VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

Dunkelstrom

Dark current

VCE = 25 V, E = 0

Symbol

Symbol

L×B

L×W

H

ϕ

CCE

ICEO

Wert

Value

0.6 × 0.6

1.3 ... 1.9

Einheit

Unit

mm × mm

mm

± 16

Grad

deg.

5.5

pF

3 (≤ 20)

nA

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen

Ziffern gekennzeichnet.

The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished

by arabian figures.

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Fotostrom, λ = 950 nm

Photocurrent

Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V

Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,

VCE = 5 V

Anstiegszeit/Abfallzeit

Rise and fall time

IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitter saturation voltage

IC

=

I 1)

PCEmin

×

0.3,

Ee = 0.5 mW/cm2

IPCE

IPCE

tr, tf

VCEsat

Wert

Value

-2

-3

0.25 ... 0.5 0.4 ... 0.8

1.4

2.2

5.5

6

150

150

Einheit

Unit

mA

mA

µs

mV

1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe

1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group

Semiconductor Group

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