D3F60 데이터 시트보기 (PDF) - Shindengen
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D3F60 Datasheet PDF : 3 Pages
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Rectifier Diode
D3F60
600V 3A
特長
• 小型 SMD
• 耐湿性に優れ高信頼性
• 高 IFSM
Feature
• Small SMD
• High-Reliability
• Large IFSM
面実装デバイス 単体型
Surface Mounting Device Single Diode
■外観図 OUTLINE
Package：2F
Unit : mm
Weight : 0.16g（typ.）
カソードマーク
Cathode mark
①
品名略号
Type No.
4
＋①
②
ロット記号（例）
級表示（例） Date code
Class
7.6
2.8
②−
■定格表 RATINGS
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS
4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH
5FSNJOBM$POOFDUJPOu
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
記号
条 件
Symbol Conditions
品 名
Type No.
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
50Hz 正弦波，抵抗負荷，Tl = 80℃
50Hz sine wave, Resistance load, Tl = 80℃
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃
50Hz sine wave , Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
D3F60
−55〜150
150
600
3
150
単位
Unit
℃
℃
V
A
A
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
VF
IR
θjl
θja
IF = 3A,
パルス測定
Pulse measurement
VR = VRM,
パルス測定
Pulse measurement
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
アルミナ基板実装
On alumina substrate
プリント基板実装
On glass-epoxy substrate
MAX 1.05
MAX 10
MAX 23
MAX 80
MAX 115
V
μA
℃/W
202 （J534）
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