C67078-A1309-A3 데이터 시트보기 (PDF) - Siemens AG

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C67078-A1309-A3

SIPMOS ® Power Transistor

Siemens AG 

BUZ 80A

Drain-source breakdown voltage

V(BR)DSS = ƒ(Tj)

960

V

920

V(BR)DSS

900

880

860

840

820

800

780

760

740

720

-60

-20

20

60

100 °C 160

Tj

Typ. gate charge

VGS = ƒ(QGate)

parameter: ID puls = 5 A

16

V

VGS

12

10

8

0,2 VDS max

0,8 VDS max

6

4

2

0

0

10 20 30 40 50 nC 65

QGate

Semiconductor Group

8

07/96

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