DD1200(2002) 데이터 시트보기 (PDF) - Diotec Semiconductor Germany

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일치하는 목록

DD1200
(Rev.:2002)

Fast Switching High Voltage Si-Rectifiers

Diotec Semiconductor Germany  

DD 300 … DD 1800

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

Tj – 50…+150/C

TS – 50…+150/C

Characteristics

Kennwerte

Forward voltage – Durchlaßspannung

Tj = 25/C IF = 10 mA

VF

Leakage current – Sperrstrom

Tj = 25/C

VR = VRRM

IR

Reverse recovery time

Sperrverzugszeit

IF = 10 mA through/über

trr

IR = 10 mA to/auf IR = 1 mA

Thermal resistance junction to ambient air

RthA

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

< 40 V

< 1 :A

< 150 ns

< 60 K/W 1)

Forward characteristic (typical values)

Durchlaßkennlinie (typische Werte)

1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

28.02.2002

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