VLA502-01 데이터 시트보기 (PDF) - Unspecified
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VLA502-01 Datasheet PDF : 8 Pages
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特性定義図
(1)通常スイッチング動作
VI
VO
tr
tPLH
tf
tPHL
90%
50%
10%
混成集積回路
VLA502-01
IGBT モジュールゲート駆動用ハイブリット IC
(2)短絡保護動作
VI 0V
VO 0V
-5V
端子２８出力
0V
ttrip1,2
ttimer
10V
10V
応用回路例
30
1
C1
2
＋
VD
23
RG
24
3
19
25
4 VLA502-01 26
＋ C2
ｺﾝﾄﾛｰﾙ信号→
CMOS etc.
6
7
20
＋
21
C3
22
Ctrip
29
Cs
27
入力回路例
VIN
28
3.3kΩ
4.7kΩ
端子 6
HC04 etc.
D1
CM600DU-24NFH etc.
Dz2
Dz3
Dz1
VD=15V +/-5%
VIN=5V +/-5%
C1 : 100uF (低インピーダンス品)
C2 : 470μF (低インピーダンス品)
C3 : 470μF (低インピーダンス品)
Ctrip : RG に依存します。
Cs : サージ電圧に依存します
Dz1 : 30V
Dz2,3 : 18V
D1 :ファーストリカバリーダイオード(trr≦0．2μｓ)
注意事項
(1) 電圧補償用コンデンサは極力ハイブリッド IC の近くに実装して下さい。
(2) ゲート回路の閉回路面積は誘導ノイズを受けないようにできる限り少なくして下さい。
(3) Ｄ1 はモジュールと同等の耐圧が必要です。
(4) Ｄ1 の逆回復時は、端子３０へ非常に高い電圧が印加される事になり、内部素子を破壊する可能性があります。
上図の様に端子３０−端子２１，２２間にツェナーダイオードを挿入する等、保護対策が必要です
(5) 三菱電機㈱製ＩＧＢＴ“ＮＦＨシリーズ”は、短絡に対しメーカ保証されておりませんので、その点ご留意ください。
(6) 短絡保護機能を使用されない場合の短絡検出端子（端子３０）の処置は、4.7ｋΩの抵抗を介して端子２０へ接続してください。
また、Ｄ１、Ｄｚ１は不要です。
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