FS300R12KF4 데이터 시트보기 (PDF) - eupec GmbH
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FS300R12KF4 Datasheet PDF : 3 Pages
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IGBT-Module
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
FS 300 R 12 KF4
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Kollektor-Dauergleichstrom
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
Gesamt-Verlustleistung
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Dauergleichstrom
Periodischer Spitzenstrom
Isolations-Prüfspannung
collector-emitter voltage
DC-collector current
repetitive peak collector current
total power dissipation
gate-emitter peak voltage
DC forward current
repetitive peak forw. current
insulation test voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
Eingangskapazität
Kollektor-Emitter Reststrom
gate threshold voltage
input capacity
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
Emitter-Gate Reststrom
Einschaltzeit (induktive Last)
gate leakage current
gate leakage current
turn-on time (inductive load)
Speicherzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Charakteristische Werte / Characteristic values: Invers-Diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
max. junction temperature
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque
Gewicht
weight
tp=1 ms
tC=25°C, Transistor /transistor
tp=1ms
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
VCES
IC
ICRM
Ptot
VGE
IF
IFRM
VISOL
iC=300A, vGE=15V, tvj=25°C
iC=300A, vGE=15V, tvj=125°C
iC=12mA, vCE=vGE, tvj=25°C
fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V,vGE=0V
vCE=1200V, vGE=0V, tvj=25°C
vCE=1200V, vGE=0V, tvj=125°C
vCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C
vCE=0V, vEG=20V, tvj=25°C
iC=300A,vCE=600V
vL= ±15V,RG=6,8Ω, tvj=25°C
vL= ±15V,RG=6,8Ω, tvj=125°C
iC=300A,vCE=600V
vL= ±15V,RG=6,8Ω, tvj=25°C
vL= ±15V,RG=6,8Ω, tvj=125°C
iC=300A,vCE=600V
vL= ±15V,RG=6,8Ω, tvj=25°C
vL= ±15V,RG=6,8Ω, tvj=125°C
vCE sat
vGE(th)
Cies
iCES
iGES
iEGS
ton
ts
tf
iF=300A, vGE=0V, tvj=25°C
VF
iF=300A, vGE=0V, tvj=125°C
iF=300A, -diF/dt=300A/µs
IRM
vRM=600V, vEG=10V, tvj=25°C
vRM=600V, vEG=10V, tvj=125°C
iF=300A, -diF/dt=300A/µs
Qr
vRM=600V, vEG=10V, tvj=25°C
vRM=600V, vEG=10V, tvj=125°C
Transistor,DC,pro Modul/per module RthJC
Transistor,DC,pro Zweig/per arm
Diode,DC, pro Modul/per module
Diode,DC, pro Zweig/per arm
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
RthCK
Transistor / transistor
Diode / diode
tvj max
tc op
tc op
tstg
M1
terminals M6
M2
G
1200 V
300 A
600 A
2000 W
+/- 20 V
300 A
600 A
2,5 kV
min.
typ. max.
-
2,7
3,2 V
-
3,3
3,9 V
4,5
5,5
6,5 V
-
22
- nF
-
-
5 mA
-
-
50 mA
-
-
400 nA
-
-
400 nA
-
0,35
- µs
-
0,45
- µs
-
0,9
- µs
-
1,0
- µs
-
0,10
- µs
-
0,15
- µs
-
2,3
2,9 V
-
2,1
-V
-
25
-A
-
65
-A
-
4
-
20
- µAs
- µAs
0,011 °C/W
0,064 °C/W
0,023 °C/W
0,140 °C/W
typ. 0,006 °C/W
typ. 0,036 °C/W
150 °C
-40...+150 °C
-40...+125 °C
-40...+125 °C
Al2O3
3 Nm
5...6 Nm
ca. 2300 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
eupec GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256
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