Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 100 GB 170 DLC
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
1
ZthJC = f (t)
0,1
0,01
0,001
0,001
0,01
i
ri [K/kW] : IGBT
τi [sec] : IGBT
ri [K/kW] : Diode
τi [sec] : Diode
Zth:Diode
Zth:IGBT
0,1
1
14,51
0,0047
52,12
0,0062
1
t [sec]
2
41,96
0,036
103,26
0,0473
10
3
62,52
0,061
103,26
0,0473
100
4
11,01
0,467
21,27
0,2322
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
Rg = 15 Ohm, Tvj= 125°C
200
IC,Modul
IC,Chip
150
100
50
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
VCE [V]
7(8)
BSM100GB170DLC