BA5986FM 데이터 시트보기 (PDF) - ROHM Semiconductor
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BA5986FM Datasheet PDF : 10 Pages
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光ディスク IC
BA5986FM
!使用上の注意
(1) BA5986FM では、サーマルシャットダウン回路を内蔵しています。
チップ温度が、175°C（Typ.）になると、出力電流がミュートされ、再びチップ温度が 150℃（Typ.）になると、
ドライバ部回路が立上がります。
(2) ミュート端子電圧を 0.5V 以下に下げると、出力電流をミュートすることができます。
通常使用状態では、ミュート端子を 2.0V 以上にプルアップしてください。
(3) バイアス端子（1pin）は、1.0V（Typ.）以下になるとミュートがかかります。
通常使用状態では 1.4V 以上にしてください。
(4) サーマルシャットダウン、ミュート ON、及び、バイアス端子電圧の低下で、ミュートがかかりますが、そのいず
れの場合も、ドライバ部以外はミュートされません。
また、出力端子は、内部バイアス電圧（PowVCC / 2）になります。
(5) スタンバイ端子電圧をオープン、または、0.5V 以下に下げると、回路電流を減少することができます。
通常使用状態では、スタンバイ端子を 2.0V 以上にプルアップしてください。
(6) 供給電源間には、この IC の根元にパスコン（0.1µF 程度）を付けてください。
(7) 放熱フィンは、パッケージ内部で GND につながっていますが、外部の GND とつないでください。
(8) 応用例は推奨すべきものと確信しておりますが、ご使用に当たっては更に特性のご確認を十分に願います。外付け
回路定数等を変更してご使用になるときは、静特性のみならず過渡特性も含め外付け部品、及び、当社 IC のばらつ
き等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。
また、特許権に関しましては当社では十分な確認はできておりませんのでご了承ください。
!電気的特性曲線
3
2
1
0
25 50 75 100 125 150 175
AMBIENT TEMPERATURE：Ta（℃)
Fig.3 熱軽減曲線
15
BA5986FM（Ta＝25℃）
ch4，前段OP AMP，VOH，
VOL
10
VOH
5
VOL
0
5
10
15
POWER SUPPLY VOLTAGE：PreVCC（V）
Fig.4 前段OP‑AMP飽和電圧特性
5
RL＝20Ω
4
16Ω
12Ω
8Ω
3
4Ω
2
1
0
−1
−2
PreVCC＝12V
PowVCC＝5V
−3
OP‑AMP…BUFFER
BIAS＝2.5V
−4
−5
−1.5 −1 −0.5 0 0.5 1 1.5
INPUT VOLTAGE : VIN（V）
Fig.5 ch1，2入出力特性
RL20Ω
10
16Ω
12Ω 8Ω
5
0
−5
−10
PreVCC＝12V
PowVCC＝12V
OP‑AMP…BUFFER
BIAS＝2.5V
−1
0
1
INPUT VOLTAGE：VIN（V）
Fig.6 ch3，4入出力特性
5
PreVCC＝12V
SOURCE PowVCC＝5V
4
3
2
1
SINK
0
0.5
1.0
LOAD CURRENT IL：（A）
Fig.7 ch1，2出力負荷変動
SOURSE
10
PreVCC＝12V
PowVCC＝12V
5
SINK
0
0.5
1.0
LOAD CURRENT：IL（A）
Fig.8 ch3，4出力負荷変動
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