B80S 데이터 시트보기 (PDF) - Diotec Semiconductor Germany
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B80S Datasheet PDF : 2 Pages
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Characteristics
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current
Sperrstrom
Reverse recovery time
Sperrverzug
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität
Thermal resistance junction to ambient (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)
Thermal resistance junction to terminal (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss (pro Bauteil)
B40S ... B500S
Tj = 25°C
IF = 1 A
VF
Kennwerte
< 1.1 V 1)
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 5 µA 1)
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
trr
typ. 1500 ns 1)
VR = 4 V
Cj
25 pF 1)
RthA
< 40 K/W 2)
RthT
< 15 K/W 2)
R 3)
t
~
_
+
~
Type
Typ
C 4)
L
B40S
B80S
B125S
B250S
B380S
B500S
Recomm. protective resistance
Empf. Schutzwiderstand
Rt [Ω] 3)
1.7
3.5
5.5
13.3
17.7
22.2
Admiss. load capacitor at Rt
Zul. Ladekondensator mit Rt
CL [µF] 4)
2900
0.005
1400
0.005
900
0.005
350
0.005
280
0.005
220
0.005
120
[%]
100
80
60
10 2
[A]
10
1
Tj = 125°C
Tj = 25°C
40
20
IFAV
0
0 TA 50
100
150 [°C]
Rated forward current versus ambient temperature2)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.2)
10-1
IF
10-2
40a-(1a-1.1v)
0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Valid per Diode – Gültig pro Diode
2 Mounted on P.C. Board with 13 x 13 mm2 copper pads – Montage auf Leiterplatte mit 13 x 13 mm2 Kupferbelag (Lötpads)
3 Rt = VRRM / IFSM
Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded
4 CL = 5 ms / Rt
Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert
If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a
single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only!
Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen
Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf!
2
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