DAN601 데이터 시트보기 (PDF) - Diotec Semiconductor Germany
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DAN601 Datasheet PDF : 2 Pages
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DAN601 / DAP601 (200 mW)
DAN601 / DAP601 (200 mW)
Small Signal Diode Arrays
Diodensätze mit Allzweckdioden
Version 2008-04-15
18±0.2
Type
Typ
3.5
3.5±0.2
Ø 0.5
Nominal power dissipation
Nenn-Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
7-pin Plastic case
7-Pin Kunststoffgehäuse
6 x 2.54
Weight approx. – Gewicht ca.
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
200 mW
80 V
18 x 3.5 x 6.6 [mm]
0.6 g
1234567
“DAN” common cathodes / gemeinsame Kathoden
1234567
“DAP” common anodes / gemeinsame Anoden
Maximum ratings
Type
Typ
DAN601
DAP601
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
80
80
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] 1)
80
80
Max. average forward rectified current, R-load
for one diode operation only
for simultaneous operation
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
für eine einzelne Diode
bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 25°C
IFAV
IFAV
TA = 25°C
IFAV
IFAV
TA = 25°C
IFSM
Tj
TS
100 mA 2)
33 mA 2)
100 mA 2)
33 mA 2)
500 mA
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Per diode – Pro Diode
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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