P600U(2011) 데이터 시트보기 (PDF) - Diotec Semiconductor Germany

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P600U
(Rev.:2011)

Silicon Rectifier Diodes

Diotec Semiconductor Germany  

Characteristics

Forward voltage – Durchlass-Spannung

Tj = 25°C IF = 5 A

VF

Leakage current – Sperrstrom

Tj = 25°C VR = VRRM

IR

Thermal resistance junction to ambient air

RthA

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Thermal resistance junction to leads

RthL

Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht

P600A ... P600U

Kennwerte

< 1.0 V

< 25 µA

< 20 K/W 1)

< 4 K/W

120

[%]

100

80

60

40

20

IFAV

0

0 TA 50

100

150 [°C]

Rated forward current versus ambient temperature1)

Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)

103

[A]

103

[A]

102

Tj = 125°C

Tj = 25°C

10

1

IF

10-1

400a-(5a-1v)

0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8

Forward characteristics (typical values)

Durchlasskennlinien (typische Werte)

102

îF

10

1

10

102

[n] 103

Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz

Durchlass-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz

1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2

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