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IRGIB10B60KD1 데이터 시트보기 (PDF) - International Rectifier
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IRGIB10B60KD1
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
International Rectifier
IRGIB10B60KD1 Datasheet PDF : 12 Pages
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Next
Last
IRGIB10B60KD1
200
160
120
470
Ω
270
Ω
80
150
Ω
50
Ω
40
0
5
10
15
20
25
IF (A)
Fig. 21
- Typical Diode E
RR
vs. I
F
T
J
= 150°C
1000
Cies
100
Coes
10
1
Cres
10
100
VCE (V)
Fig. 22
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
8
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
300V
400V
10
20
30
40
50
Q
G,
Total Gate Charge (nC)
Fig. 23
- Typical Gate Charge vs. V
GE
I
CE
= 10A; L = 2500µH
www.irf.com
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